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    公开号:WO1989008721A1
    申请号:PCT/JP1989/000242
    申请日:1989-03-07
    公开日:1989-09-21
    发明作者:Akihiko Nishimoto；Yoshihiro Hosoya；Kunikazu Tomita；Toshiaki Urabe；Masaharu Jitsukawa
    申请人:Nkk Corporation；
    IPC主号:C21D8-00
    专利说明:
    [0001] 曰月 糸田 » 無 方 向 性 電 磁 鋼 板 の 製 造 方 法 技 術 分 野 本発明は、 無方向性電磁鋼板の製造方法に関する。 背 景 技 術 電磁鋼板の磁気特性を支配する重要な因子と して、 鐲中に析出する ΑβΝ， MnS 等のサイ ズおよび分布状態 がある。 これは、 これ らの析出物自体が磁壁移動の障 害物と なっ て低磁場磁気特性および鉄損特性を劣化さ せる こ と に加え、 それらの析出物が再結晶焼鈍段階で の粒成長性を阻害し、 これに起因 したフヱ ラ イ ト粒の 粒成長不良が、 磁気特性に好ま しい集合組織の発達に 影響を及ぼすためである。
    [0002] 磁壁或いは粒界移動に対しては、 こ う した析出物は 粗大且つ疎に分布 している程好ま しい こ と が知られて お り 、 こ う した背景に基づいて、 電磁鐲板の製造プロ セスにおいて、 再結晶焼鈍前に i N 或いは MnS の析 出、 粗大化を図る技術が開示されている。 例えば、 ス ラ ブ加熱温度を低下させて、 スラ ブ中の粗大 AJJN の 再固溶 を 抑制す る 技術 （特開昭 4 9一 3 8 8 1 4 号 等） 、 微細な非金属介在物の生成を伴う S, 0 量を低 減する技術 （特公昭 5 6 — 2 2 9 3 1号等） 、 Ca， REM 添加による硫化物の形態制御技術 （特開昭 5 5 — 8 4 0 9号等） 、 熱間圧延前でのスラ ブ保熱による AMi 粗大化技術 （特開昭 5 2 — 1 0 8 3 1 8号、 特開
    [0003] 5 4 - 4 1 2 1 9号、 特開昭 5 8 — 1 2 3 8 2 5号 等） 、 熱延後の超高温卷取リ による自 己焼鈍効果を利 用 した A£N の粗大化とフヱライ ト粒成長技術 （特開 昭 5 4 — 7 6 4 2 2号等） 等がその例である。
    [0004] と ころで、 製造プロセスにおける省エネルギーの観 点に立つと、 熱間圧延時に連鍀スラブを直送圧延する ことが有利である。 しかし、 このよう なプロセスを採 用する場合、 上記した Α&Ν , HnS の析出粗大化が不十 分となるという問題があ り、 これを解決するため、 ス ラブを熱延前に保熱するという技術が開示されている。
    [0005] しかし、 実際の製造プロセスにおいて、 連铸スラブ をたとえ均熱時間が短くても一旦加熱炉ゃ均熱炉に装 入する という ような方法は、 直送圧延本来の省エネル ギ一のメ リ ッ トを享受できないばかり か、 A£N の析 出を狙いとする場合、 均熱時間が短いとスラブ内外部 での析出の不均一を生じてしまう。 発 明 の 開 示 本発明はこのよ う な問題に鑑みなされたもので、 連 銬スラブを保熱、 均熱を行う こ と な く 直送圧延する こ と によ り 、 不可避的に析出する 以外は AJ2N の析 出 を抑える と と もに、 粗圧延一仕上圧延間でディ レイ 時 間を設け且つ Ar3点以下で仕上圧延する こ と によ り ΑβΝの析出核の導入 を効果的に図 り 、 さ ら に 700 °C 以上での卷敢 リ によっ て AfiN の凝集、 粗大化を図る よ う に したもので、 これ ら によ リ再結晶焼鈍時に極め て均一且つ良好な フヱ ライ 卜粒成長を可能と したもの である。
    [0006] すなおち、 本発明は C ： 0.005 wt %以下、 Si ： 0.1 〜1.5 wt%、 Mn ： 0.1-1.0 wt %、 P ： 0.01 〜 0.15 wt %、 S ： 0.005 wt %以下を含有する連続鍀造スラブを 特定の温度域にて保熱または加熱する こ と な く 直ちに 圧下率 10%以上で 20mm以上の厚さ まで粗圧延 し、 続 く 仕上圧延と の間で粗圧延バーの表面温度が 950 °C以 上の温度領域にて 30秒以上の時間的間隔を おいた後、
    [0007] Ar3点以下での圧下率を 25%以上と した仕上圧延を 行い、 圧延後 700 以上で巻取る こ と をその特徴とす る。 図面 の 簡単な説明 第 1図は粗圧延の圧下率がスラブ中の A£N 析出核 サイ ズに及ぼす影響を示したものである。 第 2図は 粗圧延バーの待機時間が熱延板中の AAN 析出核サイ ズに及ぼす影響を示したものである。 第 3図は仕上圧 延における Ar3点以下での圧下率が熱延板中の ΑϋΝ 析出核サイズに及ぼす影響を示したものである。 発明 の詳細 な説明 以下、 本発明の詳細をその限定理由と ともに説明す る。
    [0008] 本発明では、 C ： 0.005 %以下、 Si ： 0.1〜 1.5 wt % , Mn ： 0.1 ~1.0 wt %、 P ： 0, 01 〜0.15 wt % , S ： 0.005 wt%以下を含有する連続铸造スラブを、 特 定の温度域にて保熱または加熱することなく直ちに圧 下率 10%以上で 20瞧以上の厚さまで粗圧延し、 次い で所定の時間的間隔 '（以下、 待機時間と称す） をおい た後仕上圧延を行う。
    [0009] 本発明では、 上記待機時間において A£N の析出核 を導入し、 卷取後における Ann の速やか且つ均一な 析出、 粗大化を図るものである。 特に、 Si 量の低い 中 · 低級ク ラスの電磁銷板は、 Si および Αβ の含有 量が低く、 y — α変態による組織の微細化、 AfiN 等の 微細析出に起因 した組織の微細化が低磁場磁気特性、 鉄損等に悪影響を及ぼす。 と りわけ、 省エネルギーの 観点か ら 直送圧延 を実施す る場合、 ス ラ ブ段階での AilNの粗大化が困難と な り 、 磁気特性の向上が一層困 難と なる。 このよ う な問題に対し、 本発明では粗圧延 終了後、 y相中での A£N の歪誘起析出を狙い と して 上記待機を行う 。
    [0010] そ して、 上記粗圧延では、 歪の導入と凝固組織の破 壊に よ っ て、 続 く 待機期間 におけ る短時間で均一な £Ν 析出核の導入を促すものであ り 、 こ のため 10% 以上、 好ま し く は 20%以上の圧下率を確保する。
    [0011] 第 1 図は 0.1 % Si鑲および 1 % Si鋼 （第 1 表中、 銷ー 1 、 鏞ー 5 ) を例に、 スラブ圧下率がスラ ブ中の A AN 析出核平均サイ ズに及ぼす影響を実験によ り調べ たもので、 8.O 0 ran X 12 fi moiのサンプル素材を が 完全に溶解する 1350°Cに 20分間真空中で加熱した後、 1050 °Cで 0〜 87 %圧下 してガス急冷したサンプルにつ いて、 鋼中に析出 した AJKN 析出核サイ ズを測定した 結果である。 同図から判る よ う に圧下率が 10%未満 ではスラブ中の A ώΝ の微細化が問題と なる。
    [0012] また、 粗圧延バーの厚さ が薄過ぎる と待機期間にお いて A fiN の析出核が十分に導入される前にバーの冷 却が進み、 適切な析出および仕上圧延温度の確保が難 _ _
    [0013] し く なる。 このため粗圧延バーの厚さは 20 讓 、 好ま し く は 30 ranをその下限とする。
    [0014] 粗圧延後、 仕上圧延までの待機では、 仕上圧延温度 の確保と、 A の析出ノ一ズでの析出核の生成を有 効に促す目的から、 粗圧延バー表面温度で 950 °C以上 を確保する。
    [0015] また、 待機時間は 30秒以上とする。 第 2図は 0 . 1 % Si銷および 1 % Si錮 （第 1表中、 鎘ー 1、 鐲ー 5 ) を例に、 粗圧延後の待機時間 （耝圧延終了〜仕上圧延 開始間の時間） が熟延板中の Α β ' 析出核サイズに及 ぼす影響を示したもので、 A 析出核を十分導入する ためには、 待機時間を 30秒以上確保する必要がある こ とが判る。 一方、 待機時間を長く と り過ぎると、 粗 圧延バーの表面温度が 950 °Cよ り も下がってしまい、 仕上圧延温度およびその後の 700 °C以上の巻取温度の 確保が難し く なる。 待機時間は、 粗圧延終了温度と粗 圧延バーの厚さ に応じ、 仕上圧延開始温度が 950でを 下回らないよう に定める必要がある。
    [0016] なお、 この待機時間とは、 通常の走行時間およびデ ィ レイ時間 （意図的な待機時間） と を含む粗圧延終了 から仕上圧延開始までの時間を指す。 本発明を実施す るには、 通常はディ レイ時間を設ける必要があると思 われるが、 圧延間の走行時間が上記待機時間を満たす 一フー
    [0017] 場合には、 特にディ レイ 時間 を設ける必要はない。
    [0018] また、 待機時間中のエ ッ ジ部の温度補僂を行う ため、 エッ ジ加熱を行う こ と ができ、 これによ り本発明を よ り効果的に実施する こ と ができ る。
    [0019] 仕上圧延では、 ΑΆΝ 析出核の歪誘起成長、 フェ ライ ト 組織の均賓化、 およ び磁束密度向上を狙い と した Goss 集合組織の核導入の観点から Ar3点以下での圧 下率を 25%以上、 好ま し く は 30%以上とする圧延を 行う 。 第 3 図は 0.1 % Si鋼および 1 °/。 Si鋼を例に仕 上圧延に おけ る Ar3点以下での圧下率が熱延板中の AfiN 析出核平均サイ ズに及ぼす影響を調べたもので、 A6N 析出核を十分導入するためには圧下率を 25%以 上 （好ま し く は 30%以上） 確保する必要がある こ と が判る。
    [0020] 本発明では、 巻取 り後の所謂自 己焼鈍効果によ り 、 前工程で鋼中に析出 した A N を効果的且つ速やかに 粗大化させるものであ り 、 このため仕上圧延後、 700 °C以上の温度で卷取 リ を行う 。
    [0021] このよ う に して得られた熱延板は通常、 1 回の冷間 圧延または中間焼鈍をはさ む 2 回以上の冷間圧延を経 た後、 最終的に焼鈍される。
    [0022] 次に、 本発明の鐲成分の限定理由 を説明する。
    [0023] C は、 製鋼段階で 0.005 wt %以下にする。 これは - -
    [0024] C の低減によ リ熱延巻取時における フ ライ ト粒の粒 成長を確保し、 フェ ライ ト相の安定化に伴う A N の 固溶限の低下を通じて A の凝集粗大化を図るため である。
    [0025] Si は、 中 · 低グレードの電磁鐲板に要求される磁 束密度レベルを維持するためと、 本発明法が y — α変 態を有する鐲種系を対象とするため、 その上限を 1.5 ％ とする。 一方、 電磁鐲板と して必須となる鉄損値 を低く抑える 目的から、 下限を 0.1 wt%とする。
    [0026] S は、 MnS の絶対量を減少させること によって磁気 特性の改善を図るためその上限を規定する。 すなわち、 S は 0.005 wt %以下とすることによ り、 直送圧延に とおける MnS の悪影響を無視できる レベルとするこ とができる。
    [0027] また AJ8 は、 0.001 ％以下であれば A が析出 しないため本発明法の効果を十分発揮でき、 したがつ て下記するよう に有意に含有させる場合以外は、 上限 を 0.001 wt% とすることが好ましい。 しかし、 連続 铸造で造塊する場合、 鐲中酸素レベルの低減と最終焼 鈍後における窒素の固定を狙いと して、 必要量添加す るのが好まし く、 この場合には 0.005〜0.5 の含 有量とする。 このよう に Α£ を有意に含有させる場合、 Α£ が 0.005 wt%以下である と、 本発明法によっても A fiN を十分粗大化させる こ と が困難と な る。 また、 中 低級ク ラス材に要求される磁束密度 レベルを維持する ため、 上限を 0 . 5 wt % とする。
    [0028] 以上述べた本発明によれば、 直送圧延を行いながら 熱延板段階での の析出粗大化を十分確保 し、 再 結晶焼鈍時に極めて均一且つ良好な フェライ 卜粒成長 を図る こ と ができ る。 このため直送圧延の メ リ ッ ト を 十分生かして磁気特性の優れた無方向性電磁鋼板を経 済的に製造する こ と ができ る。 発 明 の 実 施 例 実施例 1 .
    [0029] 第 1 表の組成の連铸ス ラ ブ （鋼一 1 、 鋼一 2 、 鋼 一 4 、 鐲ー 6 、 鏑— 7 ) を素材と し、 熱間圧延一熱 延板焼鈍一酸洗一冷間圧延 -最終焼鈍の工程を経て 無方向性電磁銷板を製造した。 得られた電磁銷板の 磁気特性および熱延板の性状を熱延条件等と と も に 第 2表に示す。
    [0030] Z寸 s/o6dl〕8r/d
    [0031] 0200*0 es*o εοο'ο 600*0 iro 8 I ιεοο'ο L 議 ·0 ζνο πο'ο ΐΐΟΌ oro zri 9εοο·ο 9 ΐεοο'ο sro εοο.ο 800*0 ΖΖΌ Ll'l 0 *0 s
    [0032] 6ΐ00·0 Ζ,ΟΟΌ 0·0 ZXQ'O wo ζεοο'ο· u
    [0033] CZOO'O 800Ό 0 ετο*ο ζε·ο οεοο'ο ε ΐΖΟΟΌ 90*0 ΖΐΟ'Ο 8ΐ0'0 zvo Zl' 6Ζ00Ό z
    [0034] 6100*0 ζνο 刚 ·ο ΖΖΟΌ ιε·ο 0Γ0 9εοο*ο T
    [0035] Ν s d TS D m
    [0036] 2
    [0037]
    [0038] 実施例 2 ·
    [0039] 第 1表の組成の連鍀スラブ （鐲ー 1、 鐲ー 3、 銷 - 5 ) を素材と し、 熱間圧延一熱延板焼鈍一酸洗一 冷間圧延一最終焼鈍の工程を経て無方向性鼋磁鑼板 を製造した。 得られた電磁鐲板の磁気特性および熱 延板の性状を熱延条件等とともに第 3表に示す。
    [0040] 3
    [0041] ス ラ ブ 厚 40 nrn t (薄铸片プロセス）
    [0042] Ar3以下での圧下率 30〜50%
    [0043] 卷 取 温 度 Να 1 ··■ 700で
    [0044] Να 3 , 5 … 750°C 仕上開始温度 1080〜1000。C 一 一 産業上の利用可能性
    [0045] 本発明は無方向性鼋磁銷板の製造に適用される
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    (1) C ： 0.005 wt %以下、 Si ： 0.1〜1.5 wt %、 Mn ： 0.1-1.0 wt %、 P ： 0.01 ~0.15 wt % , S ： 0.005 wt%以下を含む連続銬造スラブを特定の温度域に て保熱または加熱する こ と な く 直ちに圧下率 10 %以上で 20 ran以上の厚さ まで粗圧延 し、 続 く 仕 上圧延との間で粗圧延バーの表面温度が 950 °C以 上の温度領域にて 30秒以上の時間的間隔をおい た後、 Ar3点以下での圧下率を 25%以上と した 仕上圧延を行い、 圧延後 700 °C以上で卷取る こ と を特徴とする無方向性電磁鋼板の製造方法。
    (2) 粗圧延を 20%以上の圧下率で行う ク レーム（1) 記載の製造方法。
    (3) 仕上圧延を 30%以上の庄下率で行う ク レーム (1)記載の製造方法。
    (4) 粗圧延と仕上圧延と の間の非圧延時期に粗圧延 バーのエッ ジ加熱を行う ク レーム（1)記載の製造 方法。
    (5) 連続铸造スラブの H 含有量が 0.001 ％以 下である ク レーム（1)記載の製造方法。
    (6) 粗圧延を 20%以上の圧下率で行う ク レーム（5) 記載の製造方法。
    (7) 仕上圧延を 30%以上の圧下率で行う ク レーム (5)記載の製造方法。
    (8) 粗圧延と仕上圧延との間の非圧延時期に粗圧延 バーのエッジ加熱を行う ク レーム（5)記載の製造 方法。
    (9) 連続铸造スラブが有意に 0.005〜 0.5 »t %の k& を含有量するク レーム（1)記載の製造方法。
    (10) 粗庄延を 20%以上の圧下率で行う ク レーム（9) 記載の製造方法。
    (11) 仕上圧延を 30%以上の圧下率で行う ク レーム (9)記載の製造方法。
    (12) 粗圧延と仕上圧延との間の非圧延時期に粗圧延 バーのェジジ加熱を行う ク レーム（9)記載の製造 方法。
    (13) C : 0.005 wt %以下、 Si： 0.1〜1.5 %、 Mn： 0.1〜： L.O wt % , P ： 0.01〜 0.15 wt %、 S ： 0.005 w t %以下を含む連続鍀造スラブを特定の温度域に て保熱または加熱することなく直ちに圧下率 20 %以上で 20 以上の厚さまで粗圧延し、 続く仕 上圧延との間で粗圧延バーの表面温度が 950eC以 上の温度領域にて 30秒以上の時間的間隔をおい た後、 Ar3点以下での圧下率を 30%以上と した 仕上圧延を行い、 圧延後 700°C以上で卷取る こと を特徴とする無方向性鼋磁銷板の製造方法。
    (14) 粗圧延と仕上圧延と の間の非圧延時期に粗圧延 バーのエッ ジ加熱を行う ク レーム（13)記載の製造 方法。
    (15) 連続铸造スラブの Αβ 含有量が 0.001 ％以 下である ク レーム（13)記載の製造方法。
    (16) 粗圧延を 20%以上の圧下率で行う ク レーム（15) 記載の製造方法。
    (17) 仕上圧延を 30%以上の圧下率で行う ク レーム (15)記載の製造方法。
    (18) 耝圧延と仕上圧延との間の非圧延時期に粗圧延 バーのエツ ジ加熱を行う ク レーム（15)記戟の製造 方法。
    (19) 連続铸造ス ラ ブが有意に 0.005〜0.5 ％ の Afi を含有量する ク レーム（13)記載の製造方法。
    (20) 粗圧延を 20%以上の圧下率で行う ク レーム（19) 記載の製造方法。.
    (21) 仕上圧延を 30%以上の圧下率で行う ク レーム (19)記載の製造方法。
    (22) 粗圧延と仕上圧延と の間の非圧延時期に粗圧延 バーのエッ ジ加熱を行う ク レーム（19)記戟の製造 方法。
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    引用文献:
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    1989-10-09| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1989903253 Country of ref document: EP |
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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    JP63051785A|JPH0571652B2|1988-03-07|1988-03-07||KR8971758A| KR920006582B1|1988-03-07|1989-03-07|무방향성 전자강판의 제조방법|
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